MOS管的导通条件

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IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，

质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用

时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快

速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国

IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，

只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电

阻大，价格贵，替换种类少等

原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

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